錫摻雜對氧化鋅納米柱陣列結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

編號：CYYJ04300

篇名：錫摻雜對氧化鋅納米柱陣列結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

作者：湯小蘭 吳振英

關(guān)鍵詞： 錫摻雜氧化鋅 光電性能 溶膠凝膠法

機構(gòu)： 蘇州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學院電子與通信工程系

摘要： 選擇不同的Sn濃度,以溶膠凝膠法在N型重摻雜基板上制備了系列Zn1-xSnxO(x=0.01-0.07)納米柱樣品,并在不同溫度下(500℃、600℃、700℃)進行了退火熱處理。利用光/暗電流測試對樣品的光電性能進行了表征,發(fā)現(xiàn)當偏壓為5V時,在600℃退火1小時后,x=0.04的樣品表現(xiàn)出最佳的光/暗電流變化比(600%)。XRD與FE-SEM結(jié)果顯示該納米柱樣品具有最大的長度以及較好的結(jié)晶度,意味著樣品具有較高的結(jié)晶質(zhì)量;PL測試發(fā)現(xiàn)x=0.04時樣品缺陷濃度最小,這說明在該缺陷濃度下錫對鋅進行替代時產(chǎn)生了更多的載流子,從而導致了最優(yōu)的光電性能。