氧化亞錫/聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備及介電性能研究

編號(hào)：FTJS106563

篇名：氧化亞錫/聚酰亞胺復(fù)合薄膜制備及介電性能研究

作者：李科 楊林 楊麟 杜娟 李新躍

關(guān)鍵詞： 聚酰亞胺 復(fù)合薄膜 氧化亞錫 介電性能 介電損耗

機(jī)構(gòu)： 四川輕化工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 采用水熱法合成了氧化亞錫(SnO),然后再通過(guò)原位聚合法將合成的SnO引入到聚酰亞胺基體中,制得SnO/PI復(fù)合薄膜。SnO的含量對(duì)該薄膜的介電常數(shù)、介電損耗、拉伸強(qiáng)度和擊穿強(qiáng)度具有顯著影響。當(dāng)SnO含量為10%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),SnO/PI復(fù)合薄膜的介電常數(shù)高達(dá)456,介電損耗僅為0.034,拉伸強(qiáng)度為65 MPa,擊穿強(qiáng)度為146.9 MV/m。將SnO引入到PI基體中能改善PI薄膜的介電性能,使其在儲(chǔ)能、航空航天、絕緣等領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。