軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材晶粒晶向?qū)Ρ?/h1>

編號：CYYJ04124

篇名：軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材晶粒晶向?qū)Ρ?/p>

作者：周友平 姚力軍 廖培君 吳東青 陳石

關(guān)鍵詞： 鉭靶材 軋制 粉末冶金 晶向 先進(jìn)制程

機(jī)構(gòu)： 寧波江豐電子材料股份有限公司

摘要： 鉭靶材被廣泛地作為集成電路銅互連工藝擴(kuò)散阻擋層的濺射源,是芯片制造中的關(guān)鍵耗材,鉭靶材的性能直接影響薄膜質(zhì)量。目前鉭靶材主要有鑄錠軋制和粉末冶金燒結(jié)兩種制備方法,兩種工藝路線所得靶材差異明顯。根據(jù)濺射靶材一般性能要求,文章研究對比了軋制鉭靶材與粉末冶金鉭靶材坯料的斷面晶向和晶粒。結(jié)果顯示,粉末冶金鉭靶材晶向更均勻,晶粒更細(xì)小,這種表現(xiàn)更有利于鉭靶材的濺射性能,也更有利于濺射薄膜的均勻性。在未來先進(jìn)制程集成電路的制備工藝中,粉末冶金鉭靶材可能會得到重要應(yīng)用。