CMP拋光液中SiO2磨料分散穩(wěn)定性的研究進(jìn)展

編號(hào)：CYYJ04108

篇名：CMP拋光液中SiO2磨料分散穩(wěn)定性的研究進(jìn)展

作者：程佳寶 石蕓慧 牛新環(huán) 劉江皓 鄒毅達(dá) 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰

關(guān)鍵詞： 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) SiO2磨料 表面活性劑 分散穩(wěn)定性 PH值

機(jī)構(gòu)： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院 天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 對(duì)SiO2磨料在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)拋光液中的應(yīng)用以及影響拋光液分散穩(wěn)定性的因素進(jìn)行了闡述,重點(diǎn)從SiO2磨料分散穩(wěn)定性的角度介紹了SiO2磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)和粒徑、拋光液pH值、表面活性劑種類和表面改性等對(duì)拋光液穩(wěn)定性的影響,通過(guò)分析Zeta電位絕對(duì)值的范圍、凝膠時(shí)間的長(zhǎng)短、粒徑隨時(shí)間的變化和接觸角等,總結(jié)了小粒徑(35 nm左右)SiO2磨料在拋光液中的分散機(jī)理,同時(shí)探討了弱堿性環(huán)境對(duì)磨料Zeta電位的影響,陽(yáng)離子、陰離子和非離子表面活性劑對(duì)磨料表面的作用機(jī)理和復(fù)配使用的效果,以及表面疏水化或親水化改性對(duì)磨料分散穩(wěn)定性的影響。最后對(duì)該領(lǐng)域未來(lái)的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。