半導(dǎo)體材料CMP過程中磨料的研究進(jìn)展

編號：CYYJ04107

篇名：半導(dǎo)體材料CMP過程中磨料的研究進(jìn)展

作者：何潮 牛新環(huán) 劉江皓 占妮 鄒毅達(dá) 董常鑫 李鑫杰

關(guān)鍵詞： 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 拋光性能 磨料 去除速率 表面質(zhì)量

機(jī)構(gòu)： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院 天津市電子材料與器件重點實驗室 河北省微電子超精密加工材料與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心 河北省微電子專用材料與器件工程中心

摘要： 對磨料在半導(dǎo)體材料化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中的應(yīng)用和研究進(jìn)展進(jìn)行了簡單闡述,從各代半導(dǎo)體材料制成半導(dǎo)體器件的加工要求介紹了磨料在半導(dǎo)體材料CMP中的重要性,從CMP過程中磨料與半導(dǎo)體材料的相互作用介紹了磨料在半導(dǎo)體材料CMP中的環(huán)保性,從磨料的改性和制備介紹了磨料在半導(dǎo)體材料CMP中應(yīng)用的限制性,重點從半導(dǎo)體材料的去除速率和表面質(zhì)量介紹了磨料對半導(dǎo)體材料拋光性能的影響,并對國內(nèi)外研究中單一磨料、混合磨料和復(fù)合磨料對半導(dǎo)體材料拋光性能的影響進(jìn)行了評述,總結(jié)了近年來磨料在半導(dǎo)體材料CMP中的研究進(jìn)展。最后,對磨料在半導(dǎo)體材料CMP中存在的共性問題進(jìn)行了總結(jié),并對該領(lǐng)域所面臨的挑戰(zhàn)及發(fā)展方向進(jìn)行了展望。