二維Ag2S的電子和光電性能的第一性原理研究

編號(hào)：CYYJ03949

篇名：二維Ag2S的電子和光電性能的第一性原理研究

作者：相悅 張川川 楊文輝 段海明

關(guān)鍵詞： 替換摻雜 各向異性 光學(xué)性質(zhì) 第一性原理

機(jī)構(gòu)： 新疆大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院

摘要： 二維Ag2S是一種具有間接寬帶隙的半導(dǎo)體材料,由其在平面內(nèi)和平面外具有獨(dú)特的力學(xué)性質(zhì),因此受到了人們的廣泛關(guān)注.本文基于密度泛函理論進(jìn)行了第一性原理計(jì)算,研究了二維Ag2S的電子、光學(xué)性質(zhì)的變化.二維Ag2S具有較強(qiáng)的方向各異性,通過(guò)不同濃度的O取代S替換摻雜,發(fā)現(xiàn)隨著O濃度的增加,帶隙值出現(xiàn)先增大后減小的現(xiàn)象;由于O元素的引入,使二維Ag2S結(jié)構(gòu)對(duì)稱性降低,引起能帶及光吸收、光反射的分布離散化.y方向4.56~5.36 e V處光吸收及光反射峰隨摻雜濃度增加逐漸減小,且出現(xiàn)明顯的藍(lán)移