氮摻雜工藝以及退火處理對(duì)直拉法單晶硅的影響

編號(hào)：FTJS10346

篇名：氮摻雜工藝以及退火處理對(duì)直拉法單晶硅的影響

作者：熊歡 陳亞 芮陽 伊冉 蔡瑞 王黎光 楊少林

關(guān)鍵詞： CZ硅 缺陷 氮摻雜 氧沉淀物 空洞

機(jī)構(gòu)： 寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司寧夏半導(dǎo)體級(jí)硅晶圓材料工程技術(shù)研究中心 北方民族大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院寧夏硅靶及硅碳負(fù)極材料工程技術(shù)研究中心

摘要： 隨著集成電路的飛速發(fā)展,要求超大規(guī)模集成電路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害雜質(zhì)含量。因此,在晶體生長和器件制造過程中,必須對(duì)缺陷進(jìn)行很好地控制,缺陷在硅材料的質(zhì)量控制中起著關(guān)鍵作用。近年來通過氮摻雜控制缺陷動(dòng)力學(xué)并改變?nèi)毕莸难葑円驯粡V泛應(yīng)用于直拉法單晶硅中。本文以氮摻雜技術(shù)為基礎(chǔ),介紹了氮摻雜劑的基本性質(zhì)及其與CZ硅中點(diǎn)缺陷的相互作用,氮摻雜對(duì)氧沉淀物、空洞的影響,以及退火處理對(duì)晶體原生顆粒、體微缺陷等的影響。