高質(zhì)量二維WTe2薄膜的可控制備及電輸運(yùn)性能研究

編號(hào)：FTJS10298

篇名：高質(zhì)量二維WTe2薄膜的可控制備及電輸運(yùn)性能研究

作者：趙新 盧志紅 張振華 肖楊 馮金地 甘凌霄

關(guān)鍵詞： 二維材料 WTe2薄膜 WCl6 前驅(qū)體 磁電阻率 平面霍爾電阻 電輸運(yùn)性能

機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)材料學(xué)部

摘要： 以WCl6為前驅(qū)體,采用化學(xué)氣相沉積法制備二維WTe2薄膜材料。借助X射線衍射儀、拉曼光譜、原子力顯微鏡、綜合物性測(cè)量系統(tǒng)等探究了前驅(qū)體用量對(duì)二維WTe2薄膜質(zhì)量的影響并對(duì)薄膜的電輸運(yùn)性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明,在500℃下,僅需10 min的生長(zhǎng)時(shí)間就可以獲得大面積的WTe2薄膜,且薄膜厚度隨前驅(qū)體用量的減少而減薄。WCl6前驅(qū)體為0.6 g時(shí)所制多層二維WTe2薄膜在溫度為10 K、磁場(chǎng)強(qiáng)度為50000 Oe下的磁電阻率為1.54%,該磁電阻率仍未達(dá)到飽和。樣品平面霍爾電阻隨電場(chǎng)和磁場(chǎng)夾角變化而周期性變化,表明所制WTe2薄膜具有和塊體WTe2相似的電輸運(yùn)特性。