納米氮化鈦薄膜對(duì)高頻陶瓷窗片二次電子發(fā)射率的影響研究

編號(hào)：CYYJ03845

篇名：納米氮化鈦薄膜對(duì)高頻陶瓷窗片二次電子發(fā)射率的影響研究

作者：趙毅紅 李芳芳 王博鋒 葉成聰 繆雨龍 陳海波 陳榮發(fā)

關(guān)鍵詞： 磁控反應(yīng)濺射 納米TiN 薄膜 高頻陶瓷窗片 二次電子發(fā)射率

機(jī)構(gòu)： 揚(yáng)州大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院

摘要： 納米TiN薄膜可用來抑制高頻陶瓷窗片的二次電子倍增,縮短器件高功率老煉時(shí)間,提高微波發(fā)射性能。文章通過專用真空鍍膜設(shè)備,采用同軸圓柱靶和平面靶的直流磁控反應(yīng)濺射方法,通過優(yōu)化制備工藝參數(shù),在陶瓷窗片的表面成功制備了納米氮化鈦(TiN)薄膜。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜儀(XPS)等現(xiàn)代分析手段進(jìn)行了測(cè)試分析,結(jié)果表明:納米TiN薄膜表面晶粒細(xì)小,致密度較好;晶面(111)和(200)特征衍射峰峰型規(guī)整,峰寬細(xì)窄;Ti/N原子計(jì)量比接近于1∶1。隨著薄膜沉積時(shí)間增加,二次電子發(fā)射系數(shù)(SEY)逐漸增大,濺射時(shí)間8.4 s時(shí),SEY為1.72;隨著基體偏壓的增加,電離效率增加,SEY不斷降低,當(dāng)偏壓為350 V時(shí),SEY為1.89;隨著N2流量增加,SEY發(fā)生變化,當(dāng)N2流量為38 mL/min時(shí),SEY為1.83。