S空位與Tc摻雜單層MoS2的電子結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性質(zhì)模擬

編號(hào)：CYYJ03838

篇名：S空位與Tc摻雜單層MoS2的電子結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性質(zhì)模擬

作者：付斯年 朱瑞華

關(guān)鍵詞： Tc摻雜單層MoS2 第一性原理 電荷密度 電子結(jié)構(gòu) 磁學(xué)性質(zhì)

機(jī)構(gòu)： 牡丹江師范學(xué)院物理與電子工程學(xué)院

摘要： 利用第一性原理,研究了S空位(VS)和Tc摻雜單層MoS2的電子結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明,Tc摻雜的單層MoS2是一種具有鐵磁性的n型半導(dǎo)體;與Tc摻雜體系相比,VS的引入不會(huì)導(dǎo)致(Tc,VS)摻雜系統(tǒng)的總磁矩發(fā)生顯著變化,且磁矩主要由Tc原子所貢獻(xiàn);在2Tc摻雜體系中,通過形成能分析確定出最穩(wěn)定構(gòu)型;2Tc摻雜體系的磁矩為2.048μB,主要由兩個(gè)Tc原子貢獻(xiàn)。通過自旋電荷密度分析表明,(Tc-4d)-(S-3p)-(Mo-4d)-(S-3p)-(Tc-4d)耦合鏈的形成可能是2Tc摻雜體系發(fā)生鐵磁耦合的原因。