板式PECVD氮化硅薄膜工藝研究

編號：FTJS10238

篇名：板式PECVD氮化硅薄膜工藝研究

作者：鄒臻峰 謝湘洲 趙增超

關(guān)鍵詞： PECVD 氮化硅 薄膜

機構(gòu)： 湖南紅太陽光電科技有限公司

摘要： 本文采用微波等離子增強化學(xué)氣相沉淀技術(shù),在單晶硅襯體上高速沉積一層氮化硅薄膜。通過對比實驗,系統(tǒng)研究了沉積壓強、氣體流量、微波功率、溫度等工藝參數(shù)對氮化硅薄膜沉積速率、折射率的影響,分析其產(chǎn)生機理。通過優(yōu)化氮化硅沉積的工藝參數(shù),采用分步沉積氮化硅工藝,測試對比兩者內(nèi)量子效應(yīng)和光譜反射率,得出分步沉積氮化硅工藝,在200~400 nm短波段,反射率更低,進一步降低了氮化硅薄膜對光的反射率。同時,在1000~1200 nm的長波段,內(nèi)量子效應(yīng)增強,表明提升氮化硅薄膜的鈍化效果,最終實現(xiàn)晶硅太陽能電池效率提升0.1%,為優(yōu)化生產(chǎn)工藝奠定了良好基礎(chǔ)。