立方氮化硼薄膜的制備及光學(xué)性質(zhì)調(diào)控

編號：FTJS10231

篇名：立方氮化硼薄膜的制備及光學(xué)性質(zhì)調(diào)控

作者：劉彩云 殷紅

關(guān)鍵詞： 立方氮化硼薄膜 微觀結(jié)構(gòu) 分子振動 光學(xué)性質(zhì)

機(jī)構(gòu)： 吉林大學(xué)超硬材料國家重點實驗室

摘要： 立方氮化硼(cBN)作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于具有一系列優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)而受到廣泛關(guān)注。文章采用射頻磁控濺射方法通過優(yōu)化工藝參數(shù)成功地在單晶硅襯底上制備了cBN薄膜。在工作氣體為氮?dú)寤旌蠚怏w、功率120 W、生長溫度為600℃的條件下,在90~150 V的負(fù)偏壓范圍內(nèi)制備的薄膜都是致密的,并且隨著負(fù)偏壓的增強(qiáng),薄膜的沉積速率降低,立方相含量增加。所制備的cBN薄膜隨著立方相含量增加,其光學(xué)禁帶寬度也明顯增大。當(dāng)立方相體積分?jǐn)?shù)為50%時,cBN薄膜的光學(xué)禁帶可達(dá)到5.83 eV。這為cBN薄膜作為極端電子學(xué)材料在大功率半導(dǎo)體和光電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。