氣壓一步燒結和兩步燒結對氮化硅陶瓷結構和性能的影響

編號：FTJS10225

篇名：氣壓一步燒結和兩步燒結對氮化硅陶瓷結構和性能的影響

作者：楊州 李洪滔 張春艷 田中青 曹亮亮 黃福祥 孟范成

關鍵詞： 氮化硅 氣壓 兩步燒結 力學性能 微觀形貌

機構： 重慶理工大學材料科學與工程學院 星鑫宇航新材料科技（上海）有限公司

摘要： 以Yb2O3和Al2O3為燒結助劑,研究氣壓一步燒結和兩步燒結工藝對Si3N4陶瓷結構件微觀形貌、力學性能的影響。結果表明:一步燒結長時間保溫可以減少樣品內(nèi)部孔隙,但是會導致β-Si3N4晶粒異常長大,惡化部分力學性能。采用兩步燒結制備的Si3N4陶瓷相對密度達98.25%,內(nèi)外結構均一,沒有晶粒異常長大現(xiàn)象;其維氏硬度(HV)為1478、室溫抗彎強度為832 MPa、高溫(900℃)抗彎強度為646 MPa、斷裂韌性為7.3 MPa·m1/2,具有優(yōu)良的綜合力學性能。兩步燒結是一種有效制備高致密、良好綜合力學性能Si3N4陶瓷結構件的方法。