SiC單晶生長熱場模擬及結(jié)構(gòu)分析

編號：FTJS10204

篇名：SiC單晶生長熱場模擬及結(jié)構(gòu)分析

作者：李嘉煒 沈曉宇 王黎夫 葉國偉

關(guān)鍵詞： SIC 物理氣相傳輸法 半導(dǎo)體 熱場模擬 缺陷

機(jī)構(gòu)： 浙江東尼電子股份有限公司

摘要： 基于有限元法數(shù)值模擬,對SiC籽晶生長面上的徑向溫度梯度和沿石墨坩堝中心軸的軸向溫度梯度進(jìn)行模擬計(jì)算,使用感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法制備了6 英寸的大尺寸SiC單晶,對晶體樣品進(jìn)行了物相、應(yīng)力和缺陷的表征與研究。研究結(jié)果表明:減薄坩堝壁厚和優(yōu)化生長結(jié)構(gòu)后的熱場對改善晶體熱應(yīng)力、降低晶體內(nèi)部缺陷有明顯效果。因此,大尺寸、高質(zhì)量碳化硅單晶體材料的生長已經(jīng)成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的研究熱點(diǎn)。