CVD法無催化直接生長α-In2Se3納米材料

編號：NMJS08940

篇名：CVD法無催化直接生長α-In2Se3納米材料

作者：苗瑞霞 楊奔 王業(yè)飛 李田甜

關(guān)鍵詞： 硒化銦 納米片 掃描電子顯微鏡 無催化反應(yīng) 化學(xué)氣相沉積 表面形貌

機構(gòu)： 西安郵電大學(xué)電子工程學(xué)院

摘要： 在常壓無催化條件下,采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生長二維α-硒化銦(In2Se3)納米片材料。研究了生長溫度、生長時間和氣體流量對In2Se3納米片的微觀形貌和尺寸的影響,采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、拉曼光譜儀對In2Se3納米材料的分布、形貌、結(jié)構(gòu)進行了表征和分析。實驗結(jié)果表明,CVD法直接生長的In2Se3納米片為規(guī)則的六邊形,分布較均勻,沿(006)晶面擇優(yōu)生長,具有2H-α相的晶體結(jié)構(gòu)。最佳工藝參數(shù)為硒粉區(qū)域溫度為430℃,氧化銦粉末區(qū)域溫度為800℃,生長時間為45 min,H 2流量為45 sccm,Ar流量為15 sccm。