二維層狀I(lǐng)n2Se3材料的快速制備及結(jié)構(gòu)特性研究

編號：NMJS08939

篇名：二維層狀I(lǐng)n2Se3材料的快速制備及結(jié)構(gòu)特性研究

作者：俞書昕 金澤辛 陳容 李韜 祖翔宇 吳海飛

關(guān)鍵詞： In2Se3 二維層狀材料 機(jī)械剝離 化學(xué)氣相輸運(yùn)法 布里奇曼法

機(jī)構(gòu)： 紹興文理學(xué)院

摘要： In2Se3二維層狀材料具有優(yōu)異的光電、熱電和鐵電特性。目前In2Se3二維層狀材料大部分通過對化學(xué)氣相輸運(yùn)(CVT)法制備的塊體In2Se3進(jìn)行機(jī)械剝離獲得,CVT法制備工藝復(fù)雜、制備時間長、成本高,與之相比,布里奇曼(B-S)法具有制備工藝簡單、制備效率高、成本低的優(yōu)勢。為此,本文對CVT法和B-S法制備的塊體In2Se3分別進(jìn)行了機(jī)械剝離,并轉(zhuǎn)移到SiO2/Si(111)基底,獲得了相應(yīng)的二維層狀I(lǐng)n2Se3樣品。同時利用原子力顯微鏡(AFM)、激光拉曼和X射線衍射(XRD)對兩樣品進(jìn)行表面形貌、晶格振動譜和結(jié)晶質(zhì)量的測量,發(fā)現(xiàn)用B-S法制備、剝離的樣品具有與CVT法制備、剝離樣品幾乎相同的表面原子級平整度和單晶結(jié)晶質(zhì)量。本文為高質(zhì)量二維層狀I(lǐng)n2Se3材料的獲得提供了更為經(jīng)濟(jì)實(shí)用的途徑。