硼摻雜SiO2納米顆粒的制備及其紅外輻射性能

編號：NMJS08849

篇名：硼摻雜SiO2納米顆粒的制備及其紅外輻射性能

作者：張星星 高相東 董余兵 段燈

關鍵詞： SiO2納米顆粒 硼摻雜 St9ber法 大氣窗口 紅外輻射

機構： 浙江理工大學材料科學與工程學院 中國科學院上海硅酸鹽研究所蘇州研究院

摘要： 為提高二氧化硅(SiO2)納米顆粒在大氣窗口波段的紅外輻射性能,以正硅酸乙酯為硅源、硼酸為摻雜源,采用改進St9ber法制備了硼摻雜SiO2納米顆粒,并分析硅源加入方式、硼摩爾摻量、燒結溫度等對SiO2納米顆粒的結晶性能、化學成分、微觀結構和紅外發(fā)射率的影響。結果表明:硅源加入方式顯著影響納米顆粒的尺寸和形貌,連續(xù)滴加法制備的純SiO2和硼摻雜SiO2納米顆粒粒徑更大且形狀更規(guī)則;硼摻雜可誘發(fā)SiO2在高溫下生成石英晶體相,形成B—O-Si鍵,并導致SiO2納米顆粒的尺寸、平均孔徑、比表面積增大;硼摻雜可顯著提高SiO2納米顆粒的紅外輻射性能,硼摩爾摻量為0.40且經(jīng)過550℃燒結的樣品在8~13μm波段的平均發(fā)射率高達0.982。硼摻雜SiO2納米顆粒具有耐高溫和高紅外輻射特性,在耐高溫節(jié)能涂層、輻射制冷等領域具有廣闊應用前景。