銻化銦晶片高溫加速貯存性能變化研究

編號(hào)：CYYJ03586

篇名：銻化銦晶片高溫加速貯存性能變化研究

作者：吳瑋 董晨 趙超 董濤 折偉林 黃婷 彭志強(qiáng) 李乾

關(guān)鍵詞： 銻化銦 紅外探測(cè)器 高溫加速貯存試驗(yàn) 幾何參數(shù) 位錯(cuò)缺陷

機(jī)構(gòu)： 華北光電技術(shù)研究所

摘要： 銻化銦晶片在存放以及使用過程中的性能穩(wěn)定性是影響制備的探測(cè)器性能的重要因素之一。為了探究銻化銦晶片在長(zhǎng)時(shí)間放置情況下的性能變化情況,對(duì)銻化銦晶片進(jìn)行高溫加速貯存試驗(yàn),并在試驗(yàn)過程中對(duì)晶片幾何參數(shù)、表面粗糙度、電學(xué)參數(shù)、位錯(cuò)缺陷等幾個(gè)重要性能參數(shù)進(jìn)行跟蹤檢測(cè)。結(jié)果表明,在高溫加速試驗(yàn)條件下,除晶片外形發(fā)生輕微變化以外,其他性能基本不發(fā)生變化,晶片能夠長(zhǎng)期保存。