GaN晶片電化學腐蝕表面摩擦磨損特性

編號：CYYJ03585

篇名：GaN晶片電化學腐蝕表面摩擦磨損特性

作者：嚴杰文 閻秋生 潘繼生

關(guān)鍵詞： GaN晶片 電化學 腐蝕 摩擦磨損 摩擦因數(shù) 微觀形貌

機構(gòu)： 廣東工業(yè)大學機電工程學院 廣州計量檢測技術(shù)研究院

摘要： GaN晶片是化學性質(zhì)穩(wěn)定的半導體材料，電化學作用可以有效地腐蝕GaN晶片表面，通過選擇不同的電化學腐蝕電解質(zhì)溶液和不同的腐蝕電位，可以調(diào)控晶片表面的電化學腐蝕效果。為了更好地理解電化學機械拋光對GaN晶片表面的材料去除機理，研究了電化學腐蝕的GaN晶片表面的磨損特性。將4英寸GaN晶片激光切割成10 mm×10 mm的正方形尺寸利用平面磨床將Ga晶片表面均勻研磨至相同的表面粗糙度，然后將研磨后的GaN晶片在不同的電化學腐蝕條件下進行電化學腐蝕。腐蝕實驗中，電解液（NaOHNa2S2O8H3PO4）選取腐蝕電位(10 V20 V30 V)進行GaN表面的電化學腐蝕.