金屬調(diào)制分子束外延生長氮化鋁薄膜

編號：FTJS09850

篇名：金屬調(diào)制分子束外延生長氮化鋁薄膜

作者：劉歡 邵鵬飛 陳松林 周輝 李思琦 陶濤 謝自力 劉斌 陳敦軍 鄭有炓 張榮 王科

關(guān)鍵詞： 金屬調(diào)制 分子束外延 外延生長 氮化鋁 粗糙度

機(jī)構(gòu)： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 本文利用等離子體輔助分子束外延(PA-MBE)系統(tǒng),對常規(guī)連續(xù)外延生長和金屬調(diào)制外延(MME)生長AlN薄膜進(jìn)行研究。研究發(fā)現(xiàn):常規(guī)連續(xù)外延方法生長模式不易控制,容易出現(xiàn)過度富Al和富N模式生長,而且微富Al模式生長還會出現(xiàn)一些凹坑,表面形貌較粗糙;然而利用MME方法生長AlN薄膜,通過精準(zhǔn)調(diào)控Al源和N源快門打開、關(guān)閉時間,可以獲得形貌較好的AlN薄膜。通過調(diào)整優(yōu)化獲得的MME方案為:首先Al源快門打開30 s,然后Al源和N源快門打開60 s,最后單獨打開N源快門72 s;單一周期內(nèi),Al源快門打開時間與N源快門打開時間比例為0.7。以上述方案為一個周期進(jìn)行循環(huán)生長40個周期,可獲得粗糙度低至0.3 nm(2μm×2μm),幾乎無凹坑的AlN薄膜。