鈦硅碳顆粒含量對(duì)TC4合金微弧氧化層的影響

編號(hào)：CYYJ03484

篇名：鈦硅碳顆粒含量對(duì)TC4合金微弧氧化層的影響

作者：谷高揚(yáng) 商劍 李琳

關(guān)鍵詞： 微弧氧化 TC4 Ti3SiC2 耐腐蝕

機(jī)構(gòu)： 遼寧工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 本文采用Na2WO4+Na2SiO3+Na3PO4電解液,采用恒流模式在TC4合金基體上制備了微弧氧化層,研究了不同添加濃度鈦硅碳顆粒(2~8 g/L)對(duì)陶瓷層表面形貌、組織結(jié)構(gòu)、摩擦曲線的影響。結(jié)果表明:電解液中鈦硅碳濃度對(duì)氧化陶瓷層表面形貌、物相組成影響較小,同時(shí)添加鈦硅碳增強(qiáng)了電解液的電導(dǎo)率,改善降低了起弧電壓,有利于陶瓷層的厚度增加,同時(shí)減小摩擦。實(shí)驗(yàn)中,4 g/L時(shí)陶瓷層表面質(zhì)量最好,8 g/L時(shí)減磨性最好。