氣相沉積全無機(jī)鈣鈦礦傳輸層和發(fā)光層提高紅光鈣鈦礦發(fā)光二極管性能

編號：FTJS09823

篇名：氣相沉積全無機(jī)鈣鈦礦傳輸層和發(fā)光層提高紅光鈣鈦礦發(fā)光二極管性能

作者：柳賀夫 劉岳峰 馮晶

關(guān)鍵詞： 全無機(jī)鈣鈦礦發(fā)光器件 氣相沉積 銫鉛溴 空穴傳輸層

機(jī)構(gòu)： 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 在PEDOT∶PSS空穴傳輸層上氣相沉積了CsPbBr3和CsPbBrI2全無機(jī)鈣鈦礦傳輸層和發(fā)光層,以PEDOT∶PSS/CsPbBr3作為雙空穴傳輸層,顯著提高了基于CsPbBrI2發(fā)光的全無機(jī)紅光鈣鈦礦發(fā)光二極管(Perovskite light emitting diodes,PeLEDs)性能。相比基于PEDOT∶PSS空穴傳輸層的PeLEDs器件,其亮度、電流效率和外量子效率提升幅度分別達(dá)到了44%、157%和180%。器件性能提升一方面歸因于PEDOT∶PSS/CsPbBr3雙空穴傳輸層的能級匹配提高了空穴傳輸效率,并有效抑制了PEDOT∶PSS酸性導(dǎo)致的激子猝滅;另一方面歸因于生長在CsPbBr3傳輸層上的CsPbBrI2發(fā)光層具有更好的薄膜結(jié)晶質(zhì)量。在PeLEDs中通過氣相沉積生長傳輸層和發(fā)光層是一種簡單有效的制備方案,在提高氣相沉積全無機(jī)PeLEDs的性能方面有巨大潛力。