刻蝕工藝參數(shù)對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池性能影響

編號(hào)：FTJS09778

篇名：刻蝕工藝參數(shù)對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池性能影響

作者：周平 周林 安文俊

關(guān)鍵詞： 刻蝕 單晶硅 工藝參數(shù) 添加劑 太陽(yáng)能電池

機(jī)構(gòu)： 江西工程學(xué)院智能制造與能源工程學(xué)院

摘要： 以單晶硅太陽(yáng)能電池刻蝕為研究對(duì)象,研究應(yīng)用電子顯微鏡觀察、電性能分析等方法,揭示不同刻蝕工藝參數(shù)下單晶硅片塔基的微觀形態(tài)及電性能.結(jié)果表明:通過(guò)應(yīng)用優(yōu)質(zhì)刻蝕添加劑,可使硅片塔基形狀改善,電性能參數(shù)提高;添加劑初期時(shí)生產(chǎn)的電池片填充因子提高1.0299;高減重單晶硅太陽(yáng)能電池片反射率相對(duì)較低.