高拉速對Ф300 mm單晶硅點缺陷分布及生產(chǎn)能耗的影響

編號：CYYJ03426

篇名：高拉速對Ф300 mm單晶硅點缺陷分布及生產(chǎn)能耗的影響

作者：徐尊豪 李進 何顯 安百俊 周春玲

關(guān)鍵詞： 直拉單晶硅 有限元體積法 拉晶速率 固液界面 點缺陷 生產(chǎn)能耗

機構(gòu)： 寧夏大學(xué)物理與電子電氣工程學(xué)院 寧夏大學(xué)寧夏光伏材料重點實驗室

摘要： 大尺寸直拉單晶硅的“增效降本”是當前光伏企業(yè)急需解決的問題。本文采用有限元體積法對Ф300 mm直拉單晶硅生長過程分別進行穩(wěn)態(tài)和非穩(wěn)態(tài)全局模擬,研究提高拉晶速率對直拉單晶硅生長過程中的固液界面、點缺陷分布以及生長能耗的影響。結(jié)果表明:拉晶速率提高為1.6 mm/min時固液界面的偏移量為33 mm,不會影響晶體的穩(wěn)定生長;拉晶速率對晶體中點缺陷的分布起決定性作用,提高拉晶速率不僅能降低自間隙點缺陷的濃度,而且使晶棒內(nèi)V/G始終高于臨界值;且拉晶速率對功率消耗影響較大,提高拉晶速率后晶體生長時間減少了46.4%,單根晶體生長消耗功率降低了約4.97%。優(yōu)化和控制適宜的拉晶速率有利于低成本地生長特定點缺陷分布甚至無點缺陷單晶硅,為提高大尺寸直拉單晶硅質(zhì)量、降低生產(chǎn)能耗提供一定的理論支持。