一維/二維PANI/g-C3N4復(fù)合材料的制備及其光催化性能研究

編號：NMJS08674

篇名：一維/二維PANI/g-C3N4復(fù)合材料的制備及其光催化性能研究

作者：張超 汪建新 楊萬麗

關(guān)鍵詞： PANI g-C3N4 羅丹明B 光催化 復(fù)合材料

機構(gòu)： 齊齊哈爾大學(xué)化學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院

摘要： 以三聚氰胺和氯化銨為前驅(qū)體通過熱共聚合法制備出多孔g-C3N4納米片,原位聚合法制備出一維納米纖維PANI與多孔g-C3N4納米片(PANI/g-C3N4)復(fù)合材料。一維納米纖維PANI具有優(yōu)異電荷傳輸性能和良好的可見光響應(yīng),可以彌補g-C3N4光生電子對快速復(fù)合和可見光響應(yīng)不足的缺點。多孔g-C3N4納米片可以提供更多反應(yīng)活性位點,同時還可以縮短光生電荷從材料內(nèi)部到表面的傳輸距離,抑制光生載流子復(fù)合,從而提高材料光催化活性。5PANI/g-C3N4在180 min羅丹明B去除率達83%,經(jīng)過3次循環(huán)后,對羅丹明B去除率仍保持83%,顯現(xiàn)出優(yōu)異光催化活性和穩(wěn)定性。