一種基于三維集成電路的多位碳納米管硅通孔

編號：CYYJ03237

篇名：一種基于三維集成電路的多位碳納米管硅通孔

作者：關(guān)文博 呂紅亮 張玉明 張義門

關(guān)鍵詞： 碳納米管硅通孔 差分信號傳輸 等效電路模型 噪聲干擾 時域特性

機構(gòu)： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

摘要： 針對三維集成電路中各層之間的I/O限制問題,提出了一種新型的三位碳納米管TSV。首先利用HFSS軟件對三位CNT TSV各寄生參數(shù)進行了數(shù)值計算,與基于理論的數(shù)值計算相比,具有較高的精度,各寄生參數(shù)的誤差大小在3%以內(nèi)。在ADS中搭建了該結(jié)構(gòu)的等效電路模型,并仿真得出了它的S參數(shù),與HFSS的S參數(shù)仿真結(jié)果相比誤差在1.2%以內(nèi)。然后基于三位CNT TSV的概念,提出了新的差分型多位CNT TSV。與傳統(tǒng)GSSG型TSV以及兩種新型雙位TSV(G-SS-G型和GS-SG型)相比,所提出的差分型多位CNT TSV節(jié)省了芯片面積,提高了集成密度,且具有優(yōu)越的抗干擾能力和更好的時延性能。最后,對所提出TSV結(jié)構(gòu)進行時域眼圖仿真,表明新結(jié)構(gòu)具有良好的信號完整性。