SiC基體結(jié)構(gòu)及其對C/SiC復合材料性能的影響研究

編號：CYYJ03087

篇名：SiC基體結(jié)構(gòu)及其對C/SiC復合材料性能的影響研究

作者：房金銘 李鈺梅 龔曉冬 張家華 李軍平

關(guān)鍵詞： SiC基體 C/SIC復合材料 PIP工藝 熱解溫度 力學性能

機構(gòu)： 航天材料及工藝研究所 北京臨近空間飛行器系統(tǒng)工程研究所

摘要： 采用聚碳硅烷作為前驅(qū)體,在800、1000、1200℃下燒結(jié)得到SiC基體,研究了溫度對SiC基體密度、結(jié)晶程度的影響。結(jié)果表明基體隨著溫度的提高,基體密度提高,結(jié)晶程度逐漸提高,Si含量比例升高。在800℃時,基體密度為2.30 g/cm3,所得基體結(jié)構(gòu)接近無定型態(tài),在1000和1200℃下的密度分別為2.50和2.56 g/cm3,晶粒尺寸分別為2.6和4.1 nm。再以聚碳硅烷為前驅(qū)體,以碳纖維織物為增強體,采用PIP工藝制備C/SiC復合材料,熱解最高溫度同樣為800、1000、1200℃,得到三組C/SiC復合材料,對復合材料進行了力學性能測試和斷口微觀結(jié)構(gòu)觀察,分析了基體結(jié)構(gòu)對復合材料力學性能的影響。研究結(jié)果表明,在一定范圍內(nèi)提高熱解溫度,有利于改善基體特性和提高復合材料的致密化效率,從而使復合材料的力學性能有所提升,特別是彎曲、層間剪切和壓縮性能提高作用明顯。