CaCO3@SiO2的制備及其殼層SiO2生長動力學分析

編號：NMJS08418

篇名：CaCO3@SiO2的制備及其殼層SiO2生長動力學分析

作者：朱天孝 徐林沖 朱勇 白麗娟 袁愛群 黃增尉

關(guān)鍵詞： CaCO3@SiO2核-殼結(jié)構(gòu) 碳酸鈣 生長動力學

機構(gòu)： 廣西民族大學化學化工學院 廣西華納新材料科技有限公司

摘要： 以重質(zhì)碳酸鈣(CaCO3)為核,以硅酸鈉為殼層硅源,以并流法制備核-殼結(jié)構(gòu)的CaCO3@SiO2;采用單因素法研究反應溫度、反應時間、 pH、碳酸鈣初始質(zhì)量濃度、 SiO2質(zhì)量分數(shù)、陳化時間、攪拌速率等工藝參數(shù)對核-殼結(jié)構(gòu)耐酸性的影響,優(yōu)化工藝參數(shù),降低產(chǎn)品酸溶率,提高碳酸鈣的耐酸性能;采用SEM、 TEM、 XRD、 XPS、 FT-IR等手段表征CaCO3@SiO2產(chǎn)物,在不同pH條件下進行殼層SiO2的生長動力學分析。結(jié)果表明:當反應溫度為90℃、反應時間為120 min、 pH為9.5~10、碳酸鈣初始質(zhì)量濃度為100 g/L、 SiO2質(zhì)量分數(shù)為6%、陳化時間為36 h、攪拌速率為250 r/min時,制備的CaCO3@SiO2的酸溶率可達到最低值17.92%;碳酸鈣顆粒表面是一種無定形SiO2納米殼,且以Ca—O—Si鍵合在其表面;pH對CaCO3表面殼層SiO2的生長影響較大,當pH為10時的殼層生長速率大約是pH為7時的2倍。