臭氧氧化退火工藝對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的性能影響研究

編號(hào)：FTJS09244

篇名：臭氧氧化退火工藝對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的性能影響研究

作者：陳文浩 周升星 劉仁中 劉偉慶 肖文波 張斌

關(guān)鍵詞： 多晶硅 熱氧化 磷擴(kuò)散 硅太陽(yáng)電池

機(jī)構(gòu)： 南昌航空大學(xué)測(cè)試與光電工程學(xué)院 海潤(rùn)光伏科技股份有限公司

摘要： 在硅表面沉積制備致密的氧化硅薄膜可獲得極佳的表面鈍化質(zhì)量,然而氧化硅薄膜的常規(guī)制備方法常需要較長(zhǎng)的工藝時(shí)間和較高的工藝成本,限制了其在太陽(yáng)電池上的應(yīng)用。本文擬采用臭氧氧化配合較短時(shí)間的熱退火工藝對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池進(jìn)行處理,實(shí)現(xiàn)多晶硅片表面的氧化硅薄膜制備,通過(guò)此過(guò)程改善多晶硅太陽(yáng)電池的電學(xué)性能。使用該工藝方法在多晶硅片表面生成薄層氧化硅,并借助等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積的疊層氮化硅可顯著提升多晶硅太陽(yáng)電池正表面的鈍化質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)對(duì)比發(fā)現(xiàn),隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng),多晶硅片少子壽命的上升幅度增大,電池的電學(xué)性能隨之提升。實(shí)驗(yàn)確定了最適宜的退火處理工藝,通過(guò)該臭氧氧化退火工藝,可獲得超0.5%的多晶硅太陽(yáng)電池效率絕對(duì)值增益。