鎢基輻照材料納米氦泡誘導(dǎo)位錯(cuò)成核的分子模擬

編號(hào)：CYYJ02820

篇名：鎢基輻照材料納米氦泡誘導(dǎo)位錯(cuò)成核的分子模擬

作者：黃鑫龍 呂陳揚(yáng)韜 孫昱瑤 楚海建

關(guān)鍵詞： 輻照氦泡 極限內(nèi)壓 位錯(cuò)成核 能壘 微動(dòng)彈性帶方法

機(jī)構(gòu)： 上海大學(xué)力學(xué)與工程科學(xué)學(xué)院 上海大學(xué)上海市應(yīng)用數(shù)學(xué)和力學(xué)研究所 上海大學(xué)上海市能源工程力學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 基于分子動(dòng)力學(xué)模擬,系統(tǒng)研究納米氦泡的內(nèi)壓、孔徑和溫度對(duì)鎢基輻照材料位錯(cuò)成核機(jī)理的影響.首次采用微動(dòng)彈性帶(nudged elastic band,NEB)方法對(duì)氦泡誘導(dǎo)位錯(cuò)成核的能壘進(jìn)行分析.研究發(fā)現(xiàn),存在一個(gè)極限氦/空位比,當(dāng)氦/空位比超過該極限值時(shí),納米氦泡通過內(nèi)壓驅(qū)動(dòng)位錯(cuò)成核、位錯(cuò)競爭與反應(yīng)、交滑移等微觀機(jī)理生成并發(fā)射柱型位錯(cuò)環(huán)而長大;氦泡誘導(dǎo)位錯(cuò)成核所需的極限內(nèi)壓隨溫度的升高與氦泡的長大而減小,氦/空位比的增加可以有效地降低位錯(cuò)成核所需的能壘.