中空SiC球形納米顆粒的合成及吸波性能

編號：CYYJ02673

篇名：中空SiC球形納米顆粒的合成及吸波性能

作者：向忠寧 何秦川 王益群 任良貴

關(guān)鍵詞： SiO2@C 高溫熱處理 中空SiC球形納米顆粒 電磁波 最小反射損耗(RLmin)

機構(gòu)： 成都理工大學材料與化學化工學院

摘要： 特殊結(jié)構(gòu)和組成是決定電磁波吸收性能的關(guān)鍵因素。采用自組裝技術(shù)合成碳包覆二氧化硅(SiO2@C)的球形納米顆粒,經(jīng)高溫熱處理后制備出中空SiC球形納米顆粒。通過掃描電鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)對樣品進行微觀形貌分析和物相分析,采用矢量網(wǎng)絡分析儀對樣品的電磁參數(shù)進行測試,借助SiC的介電損耗以及其特殊的微觀結(jié)構(gòu)對其吸波性能進行調(diào)控,并模擬計算不同涂層厚度下樣品的反射損耗(RL)。結(jié)果表明,隨著SiO2@C中碳含量的增加,經(jīng)高溫熱處理后生成的SiC納米顆粒由不規(guī)則的形狀轉(zhuǎn)變?yōu)橹锌涨蛐渭{米顆粒結(jié)構(gòu)。在頻率為14.06 GHz時,樣品的最小反射損耗(RLmin)為-18.23 dB,有效吸收頻帶(RL≤-10 dB)達到了5.34 GHz,對應的涂層厚度為1.9 mm,體現(xiàn)出厚度薄、吸收頻帶寬的特點。