機(jī)械粉碎法制備β-SiC納米粉體及其特性分析

編號(hào)：NMJS08199

篇名：機(jī)械粉碎法制備β-SiC納米粉體及其特性分析

作者：鄧麗榮 王曉剛 華小虎 陸樹(shù)河 王嘉博 王行博

關(guān)鍵詞： 機(jī)械粉碎法 β-SiC納米粉體 粉體特性

機(jī)構(gòu)： 西安科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 西安博爾新材料有限責(zé)任公司 咸陽(yáng)新能源材料產(chǎn)業(yè)研究院有限責(zé)任公司 西安科技大學(xué)工程訓(xùn)練中心

摘要： 為獲得批量制備技術(shù),采用機(jī)械粉碎法制備高純?chǔ)?SiC納米粉體;通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究不同粒徑的β-SiC納米粉體的粒度分布、球形度變化規(guī)律、微觀結(jié)構(gòu)和分散穩(wěn)定性等特性。結(jié)果表明:機(jī)械粉碎法適合制備粒徑小于200 nm的β-SiC納米產(chǎn)品,產(chǎn)品粒度最小可達(dá)30 nm;砂磨時(shí)間越長(zhǎng),產(chǎn)物粒度越細(xì),粒度分布越窄,產(chǎn)品的球形度越好;β-SiC衍射峰強(qiáng)度隨粒徑的減小而減小,峰形寬化明顯,晶格結(jié)構(gòu)出現(xiàn)由單晶向多晶的轉(zhuǎn)變,并于顆粒外層誘發(fā)厚度約5 nm的無(wú)定形二氧化硅氧化層;納米β-SiC漿料在pH值為2~11時(shí)沒(méi)有出現(xiàn)等電點(diǎn),在中性和堿性條件下分散穩(wěn)定性良好。