攪拌作用下鋁熔體流場分布及SiC顆粒分散過程數(shù)值模擬

編號：CYYJ01673

篇名：攪拌作用下鋁熔體流場分布及SiC顆粒分散過程數(shù)值模擬

作者：王澤政 常慶明 洪守坤 陳笛

關(guān)鍵詞： 鋁熔體 流場分布 SIC 顆粒分散 攪拌 流場速度 數(shù)值模擬

機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)材料與冶金學(xué)院 武漢科技大學(xué)省部共建耐火材料與冶金國家重點實驗室

摘要： 基于fluent軟件,采用VOF和DPM模型對在攪拌作用下SiC顆粒增強鋁基復(fù)合材料中鋁熔體的流場分布和SiC顆粒在流場內(nèi)部的空間分布過程進(jìn)行數(shù)值模擬,分析攪拌過程中流場速度和葉片浸入深度對SiC顆粒在鋁熔體中分散的影響。結(jié)果表明,容器中流場的最大速度分布在槳片葉端,隨著攪拌槳轉(zhuǎn)速增加,流場中徑向方向和軸向方向的速度均不斷增大,隨著葉片浸入深度的增加,靠近容器底部和側(cè)壁的流場速度逐漸增大,較大的流場速度有利于SiC顆粒在鋁熔體中的分散;當(dāng)葉片浸入深度一定時,自由液面的漩渦高度和深度隨攪拌槳轉(zhuǎn)速的加快而增加,當(dāng)漩渦底部到達(dá)攪拌槳上端時,SiC顆粒開始進(jìn)入流場內(nèi)部擴(kuò)散,在流場內(nèi)上、下渦流的帶動下實現(xiàn)均勻分散。