PECVD法沉積大尺寸氮化硅薄膜性能的研究

編號(hào)：CYYJ01694

篇名：PECVD法沉積大尺寸氮化硅薄膜性能的研究

作者：胡毓龍 金哲山 董杰 劉曉婷 霍建賓

關(guān)鍵詞： 薄膜晶體管 化學(xué)氣相沉積 氮化硅 均一度 致密度 膜厚

機(jī)構(gòu)： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司

摘要： 采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉積氮化硅薄膜,對(duì)薄膜性能進(jìn)行了研究,并從微觀角度對(duì)所得結(jié)論進(jìn)行了進(jìn)一步分析與討論。PECVD法在連續(xù)沉積氮化硅薄膜時(shí),薄膜的厚度、沉積速率、均一性以及致密度會(huì)隨鍍膜基板數(shù)變化。結(jié)果表明,隨鍍膜基板數(shù)量的逐漸增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趨勢(shì),均一性變好,薄膜致密度呈下降趨勢(shì)。