RIE反應(yīng)離子刻蝕氮化硅工藝的研究

編號：NMJS07982

篇名：RIE反應(yīng)離子刻蝕氮化硅工藝的研究

作者：關(guān)一浩 雷程 梁庭 白悅杭 齊蕾 武學(xué)占

關(guān)鍵詞： 氮化硅 多晶硅 反應(yīng)離子刻蝕 刻蝕速率 非均勻性

機構(gòu)： 中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室 北方自動控制技術(shù)研究所

摘要： 氮化硅在紅外熱電堆中既充當鈍化隔離層又充當紅外吸收層,其薄膜刻蝕在MEMS工藝中至關(guān)重要。采用RIE-10NR反應(yīng)離子刻蝕機以SF6為主要刻蝕氣體,通過改變氧氣流量、射頻功率、腔室壓強對氮化硅薄膜進行刻蝕實驗。通過臺階儀及共聚焦顯微鏡表征刻蝕形貌、速率及刻蝕均勻性。實驗表明,在SF6流量為50 sccm,O2流量為10 sccm,腔室壓強為11 Pa,射頻功率為250 W的條件下,氮化硅刻蝕速率達到509 nm/min,非均勻性可達2.4%;在同樣條件下,多晶硅的刻蝕速率達到94.5 nm/min,選擇比為5.39∶1。