PECVD氮化硅薄膜制備工藝研究

編號：FTJS08571

篇名：PECVD氮化硅薄膜制備工藝研究

作者：施秉旭

關鍵詞： 氮化硅薄膜 PECVD 氧化硅薄膜 制備工藝研究

機構： 德州職業(yè)技術學院

摘要： 氮化硅具有良好的介電特性(介電常數(shù)低、損耗低)、高絕緣性,高致密性的氮化硅對雜質離子有很好的阻擋能力。PECVD法工藝復雜,沉積過程的控制因素較多,沉積條件對介質薄膜的結構與性能有直接的影響。在PECVD淀積過程中必須對多個參數(shù)進行控制,因此,優(yōu)化沉積條件是十分重要的。氧化硅薄膜通常采用PVD和CVD技術來制備。目前,在PECVD系統(tǒng)中,通過反應,獲得了氧化硅薄膜。薄膜的沉積是在具有等離子體熱系統(tǒng)中進行的,液體源經(jīng)固定溫度加熱后,通過管道系統(tǒng)進入沉積室。