異質(zhì)誘導(dǎo)酞菁鋅有機(jī)薄膜晶體管的蒸鍍工藝

編號(hào)：FTJS08403

篇名：異質(zhì)誘導(dǎo)酞菁鋅有機(jī)薄膜晶體管的蒸鍍工藝

作者：董金鵬 孫強(qiáng) 李桂娟 蘇和平 王璐 朱陽(yáng)陽(yáng) 王麗娟

關(guān)鍵詞： p-6P 酞菁鋅(ZnPc) 薄膜生長(zhǎng) 有機(jī)薄膜晶體管(OTFT) 電性能

機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院 海南科技職業(yè)大學(xué)

摘要： 通過(guò)調(diào)控對(duì)六聯(lián)苯(p-6P)誘導(dǎo)層和酞菁鋅(ZnPc)蒸鍍工藝條件,研究了有機(jī)半導(dǎo)體小分子的結(jié)晶生長(zhǎng)成膜與ZnPc有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)器件電性能的關(guān)系。結(jié)果表明,p-6P在180~190℃較高的襯底生長(zhǎng)溫度和3~4 nm的生長(zhǎng)厚度下能夠形成更大的結(jié)晶疇以及對(duì)二氧化硅襯底表面更好的覆蓋,有利于誘導(dǎo)ZnPc小分子的結(jié)晶生長(zhǎng),使晶疇的排列更加有序。同時(shí)通過(guò)X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu),結(jié)果表明p-6P襯底溫度的升高會(huì)明顯提高ZnPc薄膜的結(jié)晶性。電性能研究發(fā)現(xiàn),ZnPc蒸鍍厚度的增加會(huì)顯著提高器件的飽和電流和遷移率,在異質(zhì)誘導(dǎo)條件下,p-6P薄膜厚度為3 nm、ZnPc蒸鍍厚度為20 nm時(shí),器件的飽和電流為1.08×10-6 A,遷移率為1.66×10-2 cm 2·V-1·s-1。