單晶鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)的制備研究

編號：NMJS07891

篇名：單晶鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)的制備研究

作者：高琴 喬石珺 帥垚 楊小妮 羅文博 吳傳貴 張萬里

關(guān)鍵詞： 鈮酸鋰 氬離子刻蝕 反應(yīng)離子刻蝕 光波導(dǎo)

機(jī)構(gòu)： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 為了優(yōu)化單晶鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)的性能,研究了基于單晶鈮酸鋰薄膜材料的光波導(dǎo)刻蝕工藝。雖然Ar+物理刻蝕能夠達(dá)到最高95 nm/min的刻蝕速率,但難以獲得光滑的波導(dǎo)側(cè)壁,且以Cr作為掩膜的刻蝕選擇比為1∶1,這意味著較差的選擇性使其難以實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰的深刻蝕。而采用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)得到的刻蝕速率較低,但是以Cr作為掩膜的刻蝕選擇比能夠達(dá)到6∶1以上,同時(shí)能夠獲得光滑、陡直的側(cè)壁形貌。最終在450 nm厚度的單晶鈮酸鋰薄膜上,采用RIE制備了寬度為4μm、高度為370 nm的脊型光波導(dǎo),并以端面耦合的方法進(jìn)行測試,得到該波導(dǎo)的傳輸損耗約為5.2 dB/cm。