氮化鉭薄膜換能元低能化研究

編號：CYYJ02347

篇名：氮化鉭薄膜換能元低能化研究

作者：任小明 劉蘭 余可馨 解瑞珍 劉衛(wèi) 薛艷

關(guān)鍵詞： 換能元 TaN薄膜 橋區(qū)參數(shù) 發(fā)火感度

機(jī)構(gòu)： 陜西應(yīng)用物理化學(xué)研究所應(yīng)用物理化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 為了實(shí)現(xiàn)TaN薄膜換能元的低能化,設(shè)計(jì)制作了不同橋膜厚度、不同橋區(qū)尺寸、不同橋區(qū)形狀的TaN薄膜換能元,依據(jù)GJB/z 377A-94感度試驗(yàn)用蘭利法,對其進(jìn)行了發(fā)火感度測試。結(jié)果表明:當(dāng)橋區(qū)尺寸、形狀一定時(shí),隨著橋膜厚度的增加,換能元的發(fā)火電壓先減小后增加,當(dāng)橋膜厚度為0.9μm時(shí),發(fā)火電壓最小。通過優(yōu)化橋區(qū)尺寸和橋區(qū)形狀,獲得的TaN薄膜換能元最小平均發(fā)火電壓低于5V。