LPCVD氮化硅設(shè)備對(duì)顆粒污染的影響研究

編號(hào)：SBJS00820

篇名：LPCVD氮化硅設(shè)備對(duì)顆粒污染的影響研究

作者：吳清洋

關(guān)鍵詞： LPCVD 氮化硅 顆粒污染

機(jī)構(gòu)： 遼寧省交通高等專科學(xué)校

摘要： 顆粒污染在集成電路制造工藝中會(huì)引起嚴(yán)重的缺陷,會(huì)對(duì)后續(xù)光刻對(duì)位造成影響,甚至?xí)��?dǎo)致電路性能下降、使用壽命縮短。尤其是在深亞微米集成電路制造工藝中,顆粒污染對(duì)產(chǎn)品良率的影響就更為嚴(yán)重了。在爐管低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝中,Si_3N_4工藝的顆粒污染問題最難控制。為了降低氮化硅薄膜制程中的顆粒污染,主要從LPCVD氮化硅薄膜生產(chǎn)設(shè)備出發(fā),深入研究和探討各環(huán)節(jié)可能存在的微粒污染問題,為低顆粒污染生產(chǎn)提供依據(jù)。