Gd2O2SO4:Tb^3+納米熒光粉的共沉淀合成及光致發(fā)光

編號：FTJS07871

篇名：Gd2O2SO4:Tb^3+納米熒光粉的共沉淀合成及光致發(fā)光

作者：黃婷 許廣西 連景寶 吳念初 張雪 何嬌

關(guān)鍵詞： 硫酸氧化釓 納米熒光粉 共沉淀法 光致發(fā)光

機構(gòu)： 遼寧石油化工大學機械工程學院 遼寧石油化工大學新型功能材料實驗室

摘要： 以L-半胱氨酸為硫源,通過共沉淀法成功合成了Gd2O2SO4∶Tb^3+納米熒光粉。采用X射線衍射(XRD)、差熱熱重分析(DSC-TG)、傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)和光致發(fā)光(PL)光譜對產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能進行表征。研究pH值、反應物的摩爾比和Tb3+濃度對產(chǎn)物相組成、形貌和發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,當Gd^3+∶SO4^2-=2∶3、pH=7.5時,合成的前驅(qū)體在800℃煅燒2h可獲得單相Gd2O2SO4納米粉體。該粉體呈近球形,團聚較嚴重,平均粒徑約為30nm。在230nm紫外光激發(fā)下,Gd2O2SO4∶Tb^3+納米熒光粉具有優(yōu)異的發(fā)光性能,主發(fā)射峰位于544nm,歸屬于Tb3+的5D4→7F5躍遷。當Tb^3+濃度達到12%時,Gd2O2SO4∶Tb^3+發(fā)光強度達到最大值。Gd2O2SO4∶Tb^3+衰減過程符合雙e指數(shù)衰減行為,對應的熒光壽命為τ1=0.177μs,τ2=0.119μs。