氧化鋁鈍化膜沉積工藝研究

編號：FTJS07715

篇名：氧化鋁鈍化膜沉積工藝研究

作者：許爍爍 陳特超 禹慶榮 劉舟

關(guān)鍵詞： 光伏裝備 沉積工藝 氧化鋁薄膜 少子壽命

機(jī)構(gòu)： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

摘要： 采用平板式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備,開展氧化鋁(Al2O3)薄膜沉積工藝的研究。通過在p型單晶硅片背表面沉積Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx疊層鈍化膜,研究了Al2O3薄膜沉積工藝中加熱溫度、工藝傳送速度、微波功率、三甲基鋁(TMA)流量等工藝參數(shù)對鈍化效果的影響,得到了最佳的工藝參數(shù):加熱溫度350℃、工藝傳送速度240cm/min、微波功率521W、TMA流量600mg/min。在該工藝條件下進(jìn)行Al2O3/SiNx疊層鈍化膜的沉積,測試硅片的平均少子壽命達(dá)到335.7μs。在此基礎(chǔ)上進(jìn)行PERC電池生產(chǎn),電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21.876%。