層狀MnO2納米帶的插層質(zhì)子化及其與氧化石墨烯復(fù)合材料的電化學(xué)性能

編號：CPJS06975

篇名：層狀MnO2納米帶的插層質(zhì)子化及其與氧化石墨烯復(fù)合材料的電化學(xué)性能

作者：賈璐璐 楊寶鵬

關(guān)鍵詞： 層狀MnO2 納米帶 氧化石墨烯 超級電容器 電化學(xué)性能

機(jī)構(gòu)： 中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要： 利用KMnO4和MnCl2在高濃度KOH溶液中發(fā)生氧化還原反應(yīng),再經(jīng)200℃保溫48 h后合成K^+插層的α-MnO2納米材料,之后利用過硫酸銨進(jìn)行質(zhì)子化,并以氧化石墨烯水溶液作為溶劑制備氧化石墨烯(GO)復(fù)合物/層狀MnO2(GO/MnO2)。采用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡等對制備的材料進(jìn)行物相和形貌表征,并將其作為超級電容器的電極材料在1M KOH溶液中進(jìn)行循環(huán)伏安(CV)、恒電流充放電(GCD)等電化學(xué)性能測試。結(jié)果表明:K^+插層的MnO2具有納米帶形貌,長度可達(dá)5~12μm,寬約500 nm。質(zhì)子化后仍可保持較高的結(jié)晶度和帶狀形貌。此外,通過復(fù)合GO,可顯著提高M(jìn)nO2的電化學(xué)性能,層狀MnO2納米帶/GO復(fù)合物在0.5 A/g的電流密度下比電容高達(dá)750 F/g。