低溫制備高質(zhì)量六方氮化硼晶疇、薄膜及其在石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用

編號(hào)：NMJS07382

篇名：低溫制備高質(zhì)量六方氮化硼晶疇、薄膜及其在石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用

作者：王立鋒 武斌 劉洪濤 王翰林 蘇玉玉 類偉巍 胡平安 劉云圻

關(guān)鍵詞： 六方氮化硼 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 低溫制備 石墨烯 等離子體化學(xué)氣相沉積法 質(zhì)量 晶疇 薄膜

機(jī)構(gòu)： Beijing National Laboratory for Molecular Sciences Key Lab of Microsystem and Microstructure Institu

摘要： 二維六方氮化硼是一種理想的石墨烯電學(xué)器件介電層材料,然而,制備低成本和高質(zhì)量的氮化硼材料仍是一個(gè)挑戰(zhàn).本文使用等離子體化學(xué)氣相沉積法, 500°C下在銅箔襯底上制備了三角形的BN晶疇及其薄膜.通過使用錫箔紙包裹原料的方法避免了殘留原料在BN表面的沉積.當(dāng)BN作為石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介電層時(shí),基于石墨烯的場(chǎng)效應(yīng)器件空穴與電子的遷移率分別為10500和4750 cm2V^-1s^-1,明顯優(yōu)于在高溫條件下制備的BN作為介電層的石墨烯器件,間接表明了該方法可得到高質(zhì)量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的質(zhì)量對(duì)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件的性能至關(guān)重要.