石墨烯在GaN表面的直接制備及其在GaN-LED中的應(yīng)用研究

編號(hào)：NMJS07346

篇名：石墨烯在GaN表面的直接制備及其在GaN-LED中的應(yīng)用研究

作者：樊星 郭偉玲 熊訪竹 董毅博 王樂(lè) 符亞菲 孫捷

關(guān)鍵詞： 石墨烯 化學(xué)氣相沉積 直接生長(zhǎng) GaN-LED

機(jī)構(gòu)： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 福州大學(xué)場(chǎng)致發(fā)射國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室

摘要： 石墨烯具有優(yōu)良的光電特性,它能夠替代傳統(tǒng)的ITO材料用作GaN-LED的透明導(dǎo)電層。為了使上述應(yīng)用實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn),利用熱壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生長(zhǎng)的最佳條件,解釋了直接生長(zhǎng)的機(jī)理,直接生長(zhǎng)的最佳條件為生長(zhǎng)溫度800℃,生長(zhǎng)時(shí)間60 min,CH4和H2的分壓比分別為1.59%和3.17%,該條件下得到具有明顯2D峰的多層石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低溫生長(zhǎng)并制造了相應(yīng)的GaN-LED,測(cè)試了其性能,結(jié)果表明生長(zhǎng)溫度高于700℃時(shí)器件的性能明顯降低。該研究對(duì)實(shí)現(xiàn)石墨烯在LED中的工業(yè)化應(yīng)用具有積極意義。