熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)在銅箔上制備雙層石墨烯薄膜的研究

編號：NMJS07306

篇名：熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)在銅箔上制備雙層石墨烯薄膜的研究

作者：崔丹杰 黃哲偉 吉喆 陳茜 沈彬

關(guān)鍵詞： 石墨烯涂層 雙層 熱絲化學(xué)氣相沉積

機(jī)構(gòu)： 上海交通大學(xué)機(jī)械與動力工程學(xué)院

摘要： 雙層石墨烯獨(dú)特的物理性能和特性使其在電子領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景,引起了學(xué)者的廣泛關(guān)注。采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法(HFCVD)在1cm×2cm的銅箔上制備石墨烯薄膜,并通過探究腔內(nèi)氣壓、基體溫度、沉積時間、碳源濃度對石墨烯層數(shù)和質(zhì)量的影響,開發(fā)出制備低缺陷雙層石墨烯的工藝。采用拉曼光譜儀、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡對石墨烯涂層的結(jié)構(gòu)特征、表面形貌和層數(shù)進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在銅箔上制備出了均勻致密的低缺陷雙層石墨烯,厚度為1.5nm。此外研究結(jié)果還表明,降低腔內(nèi)氣壓可減少缺陷和層數(shù),增加基體溫度可減少層數(shù),沉積時間<4min或碳源濃度高于1%則無石墨烯生成。因此通過控制腔內(nèi)氣壓、基體溫度、沉積時間和碳源濃度可實(shí)現(xiàn)石墨烯可控生長。