平面微型超級電容器石墨烯電極制備與表征

編號：NMJS07211

篇名：平面微型超級電容器石墨烯電極制備與表征

作者：張光宇 尹雁 趙鵬飛 劉琳婧 李闖 呂胤霖 陳玉娟 朱大福 楊昕瑞

關(guān)鍵詞： 石墨烯 化學(xué)氣相沉積 平面微型超級電容器

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院

摘要： 為了研究化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備石墨烯電極性能,通過對CVD工藝參數(shù)的改進(jìn),成功地制備出了符合全固態(tài)平面微型超級電容器離子傳輸機(jī)制所需要的石墨烯薄膜電極。對比相同生長時間,不同甲烷濃度的石墨烯薄膜的性能;對比相同甲烷濃度,不同生長時間的石墨烯薄膜性能。結(jié)果表明,溫度1000℃、甲烷流量35sccm、氫氣流量10sccm、生長時間60min時,制備出的石墨烯薄膜質(zhì)量和性能最好。此時石墨烯薄膜具有較低的薄膜方阻(60.28Ω/sq-155.75Ω/sq),厚度為1.25nm。為平面微型超級電容器的進(jìn)一步研究提供了重要參考。