硅納米結(jié)構(gòu)晶體管中與雜質(zhì)量子點相關(guān)的量子輸運

編號：CPJS06349

篇名：硅納米結(jié)構(gòu)晶體管中與雜質(zhì)量子點相關(guān)的量子輸運

作者：吳歆宇 韓偉華 楊富華

關(guān)鍵詞： 硅納米結(jié)構(gòu)晶體管 雜質(zhì)原子 量子輸運 工作溫度

機構(gòu)： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院大學(xué)

摘要： 在小于10 nm的溝道空間中,雜質(zhì)數(shù)目和雜質(zhì)波動范圍變得十分有限,這對器件性能有很大的影響.局域納米空間中的電離雜質(zhì)還能夠展現(xiàn)出量子點特性,為電荷輸運提供兩個分立的雜質(zhì)能級.利用雜質(zhì)原子作為量子輸運構(gòu)件的硅納米結(jié)構(gòu)晶體管有望成為未來量子計算電路的基本組成器件.本文結(jié)合安德森定域化理論和Hubbard帶模型對單個、分立和耦合雜質(zhì)原子系統(tǒng)中的量子輸運特性進行了綜述,系統(tǒng)介紹了提升雜質(zhì)原子晶體管工作溫度的方法.