銅箔表面化學氣相沉積少層石墨烯

編號：NMJS06702

篇名：銅箔表面化學氣相沉積少層石墨烯

作者：宋瑞利 劉平 張柯 劉新寬 陳小紅 李偉 馬鳳倉 何代華

關(guān)鍵詞： 石墨烯 銅箔 化學氣相沉積法 鹽酸 生長時間

機構(gòu)： 上海理工大學機械工程學院 上海理工大學材料科學與工程學院

摘要： 利用化學氣相沉積法（CVD法）,在金屬基底上生長大面積、少層數(shù)和高質(zhì)量的石墨烯是近年來研究的熱點。本研究采用CVD法,在常壓高溫條件下,以氬氣為載體、氫氣為還原氣體、乙烯為碳源,在銅箔表面生長石墨烯。通過掃描電子顯微圖（SEM）、X射線衍射儀（XRD）和拉曼圖譜（Raman）分析,發(fā)現(xiàn)銅箔表面質(zhì)量和石墨烯的生長時間對石墨烯的層數(shù)和缺陷有較大影響。用20%的鹽酸去除銅箔表面的保護膜和Cu_2O等雜質(zhì),銅箔在1000℃下退火60min可以使銅箔晶粒尺寸增大以及改善銅箔表面的形貌。研究發(fā)現(xiàn)生長時間為60s和90s時,制備的石墨烯薄膜對稱性良好且層數(shù)較少。其中,生長時間為90s時,拉曼表征石墨烯的I_D/I_G值為0.7,表明其缺陷比較少。