不同沉積層的納米波導(dǎo)諧振腔特性測試

編號：NMJS06548

篇名：不同沉積層的納米波導(dǎo)諧振腔特性測試

作者：臧俊斌[1,2] ;趙國英[1] ;韋麗萍[2] ;薛晨陽[2]

關(guān)鍵詞： 光電器件 片上系統(tǒng) 納米光波導(dǎo) 微環(huán)諧振腔

機構(gòu)： [1]中北大學(xué)(朔州校區(qū)),山西朔州036000; [2]中北大學(xué)儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室,太原030051

摘要： 為確定硅基片上系統(tǒng)半導(dǎo)體光電器件集成中絕緣層材料對器件整體性能的影響,設(shè)計并制備了帶有覆層的納米波導(dǎo)諧振腔.諧振透射譜功率測試表明頂層覆蓋Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜絕緣層沒有削弱環(huán)形諧振腔的品質(zhì)因素,沉積后的最佳耦合間距為70~110 nm.覆層為SiO_2時諧振點波長附近的諧振峰消光比達16.5 dB,3 dB帶寬為0.12 nm;覆層為Si_3N_4時諧振點波長附近的諧振峰消光比達13.9 dB,3 dB帶寬為0.18 nm.該研究為片上系統(tǒng)集成設(shè)計中最佳絕緣層材料的選擇提供參考.